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企業一般在單晶爐內設置冷卻結構

2024-02-25


    單(dan)晶(jing)(jing)爐(lu)(lu)是利用石墨(mo)加熱器(qi)在惰性氣(qi)體(ti)(ti)(主(zhu)要(yao)是氮氣(qi)和氦氣(qi))環(huan)境中(zhong)熔化多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)等(deng)多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)材料(liao),采用齊拉斯基法(fa)生(sheng)長(chang)無位(wei)錯單(dan)晶(jing)(jing)的(de)(de)一種(zhong)設備。它(ta)的(de)(de)內部結構*其復雜(za)。但是單(dan)晶(jing)(jing)硅(gui)棒(bang)的(de)(de)生(sheng)產(chan)對(dui)(dui)環(huan)境要(yao)求非(fei)常高。如(ru)果(guo)爐(lu)(lu)體(ti)(ti)溫(wen)度過高,爐(lu)(lu)體(ti)(ti)會(hui)變(bian)形,影響設備尺(chi)寸和單(dan)晶(jing)(jing)硅(gui)棒(bang)的(de)(de)生(sheng)長(chang)。如(ru)果(guo)爐(lu)(lu)體(ti)(ti)長(chang)期處于高溫(wen)環(huan)境的(de)(de)工作狀態,爐(lu)(lu)體(ti)(ti)上會(hui)出現裂(lie)紋(wen),對(dui)(dui)爐(lu)(lu)體(ti)(ti)造成(cheng)損壞,降低爐(lu)(lu)體(ti)(ti)的(de)(de)使用壽命。

   為了降低單(dan)晶爐(lu)工作過(guo)程中的(de)溫度(du),一般在單(dan)晶爐(lu)內(nei)設(she)置冷卻(que)(que)(que)結構,通(tong)過(guo)冷卻(que)(que)(que)水(shui)循環(huan)系統(tong)將單(dan)晶爐(lu)內(nei)的(de)熱量帶走,從而降低單(dan)晶爐(lu)內(nei)的(de)溫度(du)。但是,水(shui)冷卻(que)(que)(que)系統(tong)需(xu)要配備冷水(shui)機組、冷卻(que)(que)(que)池、冷卻(que)(que)(que)水(shui)泵(beng)、熱交換器等設(she)備。整個系統(tong)結構復雜,占用空間大,對水(shui)質(zhi)和(he)流量有特(te)殊要求。安裝(zhuang)和(he)使用困難。

半導(dao)體(ti)工藝設備為大規模半導(dao)體(ti)制造提供了制造基礎。描繪電子產業未來的(de)摩爾定(ding)律,將導(dao)致未來半導(dao)體(ti)器件的(de)集成化和小(xiao)型化程(cheng)度更(geng)高,功能更(geng)強。

單晶爐

單晶(jing)(jing)爐是(shi)一(yi)種全自(zi)動直(zhi)拉(la)(la)單晶(jing)(jing)生長爐,是(shi)利用石墨(mo)加(jia)熱器在惰性氣(qi)(qi)體(ti)(氮氣(qi)(qi)、氦(hai)氣(qi)(qi))環境中(zhong)熔化多(duo)晶(jing)(jing)硅等多(duo)晶(jing)(jing)材(cai)料,采用直(zhi)拉(la)(la)法(fa)生長無位錯單晶(jing)(jing)的(de)設備。

單(dan)晶硅(gui)爐的(de)模(mo)型有兩種(zhong)(zhong)命名方法,一種(zhong)(zhong)是(shi)進(jin)料量,另一種(zhong)(zhong)是(shi)爐膛直徑(jing)。如120、150等型號由進(jin)料量決(jue)定(ding),85爐指的(de)是(shi)主爐筒直徑(jing)。

單晶硅爐的主體由主機、加熱電源和計算(suan)機控制系統組成。


制冷機主要應用于空調冷卻系統、冷凍系列、注塑、制革、發泡、發電、汽輪機、鋁型材加工、空壓機、工業水冷卻等領域,應用最多的為空調冷卻、冷凍、塑膠化工行業。
工業生產或制冷工藝過程中產生的廢熱,一般要用冷卻水來導走。冷卻塔的作用是將挾帶廢熱的冷卻水在塔內與空氣進行熱交換,使廢熱傳輸給空氣并散入大氣中。
例如:火電(dian)(dian)廠內,鍋爐將水(shui)(shui)加熱(re)成(cheng)高溫(wen)(wen)高壓(ya)蒸汽(qi),推動汽(qi)輪(lun)機做功使(shi)發電(dian)(dian)機發電(dian)(dian),經(jing)汽(qi)輪(lun)機作(zuo)功后(hou)的(de)廢汽(qi)排(pai)入冷(leng)凝器,與冷(leng)卻水(shui)(shui)進行熱(re)交換凝結成(cheng)水(shui)(shui),再(zai)用(yong)水(shui)(shui)泵打回鍋爐循環使(shi)用(yong)。這一過程中乏汽(qi)的(de)廢熱(re)傳給了冷(leng)卻水(shui)(shui),使(shi)水(shui)(shui)溫(wen)(wen)度升高,挾帶(dai)廢熱(re)的(de)冷(leng)卻水(shui)(shui)。


單晶硅片的工藝流程

硅,地球上(shang)(shang)有很(hen)多含硅的東西。似(si)乎90%以上(shang)(shang)都是晶硅,也(ye)就是單晶硅。太陽能級(ji)硅的純度在(zai)6N以上(shang)(shang)。

首先是石(shi)(shi)頭(所有的石(shi)(shi)頭都含有硅)。將石(shi)(shi)頭加熱(re)至(zhi)液態,再加熱(re)至(zhi)氣(qi)(qi)態。讓氣(qi)(qi)體(ti)(ti)通過(guo)(guo)一個(ge)密封的大(da)盒子(zi)。盒子(zi)里有N個(ge)以(yi)上(shang)的子(zi)晶(jing)體(ti)(ti)用于(yu)加熱(re),兩端用石(shi)(shi)墨夾緊。當氣(qi)(qi)體(ti)(ti)穿過(guo)(guo)盒子(zi)時,子(zi)晶(jing)體(ti)(ti)會(hui)將其中(zhong)一種氣(qi)(qi)體(ti)(ti)吸收到(dao)子(zi)晶(jing)體(ti)(ti)上(shang),子(zi)晶(jing)體(ti)(ti)就會(hui)逐(zhu)漸變厚(hou)。因為氣(qi)(qi)體(ti)(ti)變成固體(ti)(ti),很慢(man),大(da)約一個(ge)月左右,盒子(zi)里有很多長初(chu)級多晶(jing)硅。

單晶(jing)硅芯片由此進入(ru)生產(chan)過程:

1. 酸(suan)(suan)洗:用稀(xi)硝酸(suan)(suan)HNO3進行清洗,去(qu)除(chu)精煉過程中產生的表(biao)面(mian)雜質和四氯化硅。

2. 清(qing)洗:清(qing)洗酸(suan)洗后(hou)硅材(cai)料的殘留雜質。

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